Новости  Акты  Бланки  Договор  Документы  Правила сайта  Контакты
 Топ 10 сегодня Топ 10 сегодня 
  
25.10.2015

Полупроводниковые материалы их свойства и применение

Классификация и основные свойства проводниковых и полупроводниковых материалов. Полупроводниками принято называть вещества, электропроводность которых обусловлена перемещением электронов, возбужденных внешними энергетическими воздействиями нагрев, облучение светом, наложение сильного электрического поля и т. Важным свойством полупроводников является зависимость электропроводности от интенсивности внешнего энергетического воздействия: электрического или магнитного поля, температуры, длины волны светового потока, освещенности, механического давления и т. Возможно и обратное действие — преобразование электрической энергии в тепловую, световую или механическую. Используя эти и другие свойства полупроводниковых материалов, получены различные по назначению приборы и схемы в микроэлектронике, без которых немыслимы современные полупроводниковые материалы их свойства и применение и телевизионная аппаратура, электронные полупроводниковые материалы их свойства и применение машины, измерительная техника в целом. Разработка технологии изготовления полупроводников с двумя типами проводимости — электронной и дырочной, совмещенными в одном кристалле, позволила получить приборы с p-n-переходом одним или несколькимиобладающие способностью выпрямлять переменный ток, создавать электрическую емкость, стабилизировать напряжение и т. Эти свойства положены в основу работы диодов, транзисторов, тиристоров, варикапов, стабилитронов и др. На базе простого полупроводника кремния было создано новое направление в приборостроении — твердотельная микроэлектроника. Таким образом, применение полупроводниковых материалов произвело подлинную революцию в электро- и радиотехнике. Большинство приборов изготавливают полупроводниковые материалы их свойства и применение пластин, вырезанных из полупроводниковых монокристаллических слитков. Слитки получают методом направленной кристаллизации расплава исходного материала, предварительно очищенного от посторонней примеси и обычно легированного определенным химическим элементом задан­ной концентрации. Для обеспечения одинаковыми параметрами всей партии приборов, изготовленных из одного и того же монокри­сталлического слитка, необходимо, чтобы легирующая примесь была равномерно распределена по всему объему слитка. В настоящее время насчитывается большое количество типов полупроводниковых приборов, и сфера их применения полупроводниковые материалы их свойства и применение расширяться. Каждый прибор в зависимости от требуемых электрических параметров нуждается в полупроводниковом материале с определенными свойствами, это направляет и стимулирует развитие науки и промышленности по производству новых полупроводнико­вых материалов с требуемыми свойствами. У полупроводников зона проводимости отделена от валентной зоны зоной запрещенных значений энергии. При поглощении валентным электроном кванта энергии большего и равного ширине запрещенной энергетической зоны, электрон переходит в свободную энергетическую зону и получает возможность перемещаться — менять свою энергию. После ухода электрона из валентной зоны в ней остается незанятое место - дырка. Таким образом, при возбуждении атома в нем появляются два носителя заряда противоположных знаков: электрон и дырка. Очевидно, что для того, чтобы электрон покинул валентную зону и перешел в свободную зону нужно повышение его энергии. Чем выше температура полупроводника, тем более вероятна флуктуация энергии и перескок электрона из валентной зоны в свободную. Обозначим концентрацию электронов n0i, а концентрацию дырок p0i. Индекс i от слова intrinsic — собственный, присущий у концентрации электронов и дырок означает, что это собственные носители заряда. В полупроводниковые материалы их свойства и применение процессов возбуждения и рекомбинации при любой температуре устанавливается равновесная концентрация носителей заряда: электронов 11. Коэффициент 2 показывает, что полупроводниковые материалы их свойства и применение каждом энергетическом уровне могут быть два электрона. Проводимость полупроводников будет равна: 11. Примесные полупроводники, то есть полупроводники содержащие небольшие количества примесей. Роль примесей могут играть также дефекты кристаллической решетки — вакансии, дислокации, границы зерен, поры, трещины. Если валентность атома примеси и атомов основного материала отличаются, то атомы примесей будут являться источниками свободных электронов или дырок. Избыток электронов на валентной оболочке атома примеси приведет к появлению дополнительных электронов, а недостаток электронов на валентных электронных оболочках атомов приведет к появлению дырок. Атомы примесей, поставляющих в свободную зону свободные электроны, принято называть донорами, атомы — поставляющие дырки — акцепторами. Влияние примесей на энергетические зоны полупроводников показано на рисунке 11. При малых дельта Т степенях охлаждения число центров мало, а скорость роста значительна, отсюда образуются крупное зерно. С увеличением дельта Т ч. Размер зерна сильно влияет на свойство металла,например вязкость и пластичность выше, если металл имеет мелкое зерно.

  Комментарии к новости 
 Главная новость дня Главная новость дня 
Алисия значение имени
Обязан ли ответчик предоставлять копии документов истцу
Маршрут 718 автобуса москва
Должностные инструкции инструктора по физической культур
Стихи тютчева про любовь и природу
Daewoo kr21s8 схема
Аппликация на платье своими руками
Крестики нолики схема
Срок хранения плавленного сыра
 
 Эксклюзив Эксклюзив 
Словарные слова по английскому языку 2 класс
Боско спорт нижний новгород каталог товаров
Влияние смен времен года
Управление проблемами itsm
Днс петрозаводск каталог товаров
Правила пересечения российско казахстанской границы 2015
Внешний вид учителя физической культуры